Đi ốt schottky là gì? Các bài nghiên cứu khoa học liên quan

Điốt Schottky là linh kiện bán dẫn cấu tạo từ tiếp giáp kim loại–bán dẫn, hình thành rào chắn năng lượng Schottky cho dòng thuận sụt áp thấp và dòng ngược rất nhỏ. Không có vùng p–n, điốt Schottky có thời gian phục hồi ngược gần bằng không và điện dung junction rất thấp, phù hợp cho mạch chuyển mạch tốc độ cao và tần số RF.

Định nghĩa điốt Schottky

Điốt Schottky là linh kiện bán dẫn cấu tạo từ tiếp giáp kim loại–bán dẫn, khác với điốt p–n truyền thống ở chỗ không có lớp bán dẫn p. Tiếp giáp này tạo ra rào chắn tiềm năng Schottky, cho phép dòng electron di chuyển thuận chiều nhanh nhưng ngăn cản dòng ngược hiệu quả. Điốt Schottky được xếp vào loại điốt phi tuyến, thường được ký hiệu bằng chữ “S” hoặc “D” trong sơ đồ mạch điện.

Ưu điểm nổi bật của điốt Schottky là điện áp sụt áp thuận thấp, thường chỉ 0,15–0,45 V, thấp hơn nhiều so với 0,7 V của điốt silicon p–n. Điều này giúp giảm tổn thất công suất trong các mạch chỉnh lưu và chuyển mạch tốc độ cao. Nhờ không có vùng tích điện lưu trữ lớn như trong điốt p–n, thời gian phục hồi ngược gần như bằng không, cho phép hoạt động hiệu quả ở tần số lên đến hàng trăm MHz hoặc cao hơn.

  • Dòng thuận: lớn, sụt áp thấp (0,15–0,45 V).
  • Dòng ngược: rất nhỏ, tỉ lệ nghịch với chiều rộng rào chắn.
  • Thời gian phục hồi: ≈0 ns, phù hợp tần số cao.

Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

Cấu tạo điốt Schottky gồm một lớp kim loại (thường là nikkêl, vàng hoặc bạch kim) tiếp xúc trực tiếp với bán dẫn loại n (silicon, SiC hoặc GaAs). Tại vùng tiếp giáp, electron tự do từ bán dẫn di chuyển sang kim loại tạo ra vùng nghèo điện tích (depletion region) và rào chắn năng lượng φ_B, gọi là rào Schottky.

Khi phân cực thuận (V > 0), electron ở vùng bán dẫn được tăng năng lượng để vượt qua rào φ_B và di chuyển vào kim loại, tạo ra dòng I_F theo phương trình bức xạ nhiệt (thermionic emission): J=AT2exp(qϕBkT)[exp(qVkT)1]J = A^* T^2 \exp\bigl(-\frac{q\phi_B}{kT}\bigr)\bigl[\exp\bigl(\frac{qV}{kT}\bigr)-1\bigr], trong đó A* là hệ số Richardson, T nhiệt độ tuyệt đối, q điện tích electron, k hằng số Boltzmann. Dưới phân cực ngược (V < 0), rào chắn tăng, dòng rò I_R rất nhỏ và gần như hằng định.

Điều kiện Hành vi dòng Rào chắn φ_B
Phân cực thuận Dòng lớn theo phương trình thermionic Giảm theo V
Phân cực ngược Dòng rò rất nhỏ Tăng cường cản trở electron

Đặc tính vật liệu

Lựa chọn bán dẫn và kim loại ảnh hưởng trực tiếp đến rào Schottky φ_B và tính ổn định nhiệt. Silicon là vật liệu phổ biến nhờ chi phí thấp và công nghệ sản xuất đã trưởng thành. Đối với ứng dụng chịu nhiệt và điện áp cao, bán dẫn wide-bandgap như silicon carbide (SiC) hoặc gallium arsenide (GaAs) được ưa chuộng vì cho rào chắn cao hơn và dòng rò thấp hơn.

Kim loại phải có công việc (work function) thích hợp để tạo rào Schottky. Ví dụ, nikkêl (Ni) và bạch kim (Pt) cho φ_B vào khoảng 0,7–0,85 eV trên silicon, giúp cân bằng giữa sụt áp thuận và dòng rò ngược. Việc kiểm soát độ tinh khiết và cấu trúc tinh thể ở vùng tiếp giáp cũng rất quan trọng để tránh nếp nhăn và điện tích bẫy, giảm tính đồng nhất của rào chắn.

  • Si: φ_B ≈ 0,6–0,7 eV, ứng dụng tần số thấp–trung bình.
  • SiC: φ_B ≈ 1,3–1,5 eV, chịu nhiệt và áp cao.
  • GaAs: φ_B ≈ 0,8–0,9 eV, cho tốc độ chuyển mạch rất cao.

Đặc tính điện

Điện dung junction C_j của điốt Schottky rất thấp do vùng nghèo mỏng, thường dưới 2 pF đối với diện tích nhỏ. Điều này giúp giảm tổn thất điện dung trong mạch chuyển mạch, nâng cao tần số chuyển đổi và giảm nhiễu chung.

Dòng phục hồi ngược gần bằng 0 cho phép chuyển mạch nhanh mà không cần thời gian chờ (reverse recovery time), giúp giảm tổn thất công suất trong các mạch xung và nguồn switching. Dòng ngược I_R tăng mạnh khi nhiệt độ tăng, do đó cần chú ý tản nhiệt và điều chỉnh thiết kế mạch sao cho không vượt quá ngưỡng làm việc.

Thông số Giá trị điển hình Ưu điểm
V_F (sụt áp) 0,15–0,45 V Giảm tổn thất điện áp
I_R (dòng ngược) 10⁻⁶–10⁻³ A/cm² Đảm bảo cách ly cao
C_j (điện dung) < 2 pF Hỗ trợ tần số cao
  • Thời gian phục hồi: gần 0 ns.
  • Độ bền nhiệt: đến 175 °C (Si) và >300 °C (SiC).
  • Ứng dụng: mạch switching, RF mixer, bảo vệ ngược phân cực.

So sánh với điốt p-n

Điốt Schottky và điốt p–n truyền thống có cơ chế dẫn điện khác nhau. Điốt p–n tạo rào cản điện bằng vùng nghèo của tiếp giáp p–n, trong khi điốt Schottky dùng rào chắn kim loại–bán dẫn. Kết quả là sụt áp thuận của điốt Schottky thấp hơn đáng kể, thời gian phục hồi ngược gần như không đáng kể và điện dung junction nhỏ hơn.

Điểm khác biệt chính thể hiện qua đặc tính I–V và thông số phục hồi. Điốt p–n silicon có sụt áp ≈0,7 V, dòng phục hồi ngược (reverse recovery) tính bằng micro- đến milli-giây, và điện dung junction phụ thuộc mạnh vào điện áp ngược. Ngược lại, điốt Schottky có sụt áp 0,15–0,45 V, thời gian phục hồi ≈0 ns và điện dung junction <2 pF, cho phép hoạt động ở tần số cao mà không cần mạch snubber phức tạp.

Thông số Điốt Schottky Điốt p–n Silicon
Sụt áp thuận VF 0,15–0,45 V ≈0,7 V
Dòng phục hồi ngược ≈0 ns 1–100 μs
Điện dung junction Cj < 2 pF 5–50 pF
Dòng ngược IR 10−6–10−3 A/cm² 10−9–10−6 A/cm²
Ứng dụng tần số RF, GHz kHz–MHz

Ứng dụng

Điốt Schottky được ưa chuộng trong nhiều ứng dụng điện tử và nguồn công suất nhờ sụt áp thấp và thời gian chuyển mạch nhanh. Trong mạch chỉnh lưu (rectifier) cho nguồn switching, điốt Schottky giảm tổn thất công suất do điện áp sụt thấp và không cần mạch bảo vệ phục hồi.

  • Nguồn switching (SMPS): chỉnh lưu đầu vào và diode freewheeling cho bộ chuyển mạch MOSFET.
  • Bảo vệ ngược phân cực: ngăn không cho điện áp ngược làm hỏng IC và mạch cảm biến.
  • Mạch RF: mixer, detector và limiter trong hệ thống thông tin di động, radar, vệ tinh.
  • Chỉnh lưu cao tần: công suất vi sóng, tần số GHz và mạch PLL.
  • Power steering và ECU ô tô: chịu nhiệt độ cao và nhiễu điện từ.

Ví dụ, trong các bộ chuyển đổi DC–DC 12 V/5 V, việc sử dụng điốt Schottky freewheeling giúp đạt hiệu suất >90% và giảm nhiệt sản sinh so với điốt p–n thông thường .

Thiết kế và chế tạo

Quy trình chế tạo điốt Schottky bao gồm lắng đọng kim loại (sputtering, evaporation) lên bề mặt bán dẫn đã được tạp nhiễm loại n và tạo vùng tiếp giáp. Nhiệt xử lý (annealing) sau đó giúp cải thiện độ kết dính, đồng nhất rào chắn và loại bỏ tạp chất oxy hóa.

Trong công nghệ silicon, sử dụng epitaxy hoặc ion implantation để tạo lớp bán dẫn n-doped mỏng, kiểm soát độ sâu vùng nghèo và độ dày lớp tiếp xúc. Thiết kế bao gồm cấu trúc planar hoặc trench để tối ưu điện dung junction và khả năng tản nhiệt. Đối với SiC, quy trình chế tạo tương tự nhưng yêu cầu nhiệt độ gia nhiệt cao hơn (≥800 °C) để ổn định giao diện kim loại–SiC.

  • Lắng đọng kim loại: Ni/Al, Pt, Au tùy yêu cầu φB.
  • Tạp nhiễm bán dẫn: kiểm soát n-doping ~1016–1018 cm−3.
  • Gia nhiệt: loại bỏ tạp chất, cải thiện tiếp giáp.
  • Đóng gói: TO-220, SOD-123, SMC hỗ trợ tản nhiệt và chịu áp cao.

Thách thức và cải tiến

Dòng ngược IR cao hơn điốt p–n truyền thống và giới hạn nhiệt độ làm việc (Si ≤175 °C, SiC ≥300 °C) là thách thức chính. Giảm dòng rò và tăng khả năng chịu nhiệt yêu cầu vật liệu wide-bandgap (SiC, GaN) và cấu trúc superjunction.

Nghiên cứu hiện đang tập trung vào:

  • Superjunction Schottky: xen kẽ lớp n và p mỏng để tăng khả năng chịu điện áp ngược mà không tăng điện dung.
  • SiC và GaN Schottky: giảm dòng rò ngược, tăng rào chắn φB, chịu nhiệt độ và điện áp cao.
  • Liên kết kim loại đa lớp: sử dụng màng đệm (buffer layer) chống khuếch tán và cải thiện độ bền tiếp giáp.
  • Tối ưu bề mặt: xử lý plasma và oxit mỏng để giảm điện tích bẫy và tăng độ đồng nhất φB.

Các tiến bộ này hứa hẹn nâng cao hiệu suất và độ bền cho các ứng dụng công nghiệp và năng lượng tái tạo .

Tài liệu tham khảo

  • Sze, S. M. & Ng, K. K. Physics of Semiconductor Devices. Wiley, 2006.
  • ON Semiconductor. Schottky Barrier Diodes Data Sheets. ON Semiconductor. https://www.onsemi.com/products/discretes-drivers/diodes
  • Texas Instruments. AN-1148 Schottky Diode Application Note. TI. https://www.ti.com/lit/an/slva078
  • Rhoderick, E. H. & Williams, R. J. Metal–Semiconductor Contacts. Clarendon Press, 1988.
  • ON Semiconductor. Application Note: Improving Efficiency with Superjunction Schottky Diodes. ON Semiconductor.

Các bài báo, nghiên cứu, công bố khoa học về chủ đề đi ốt schottky:

Parameter extraction sequence for silicon carbide schottky, merged PiN Schottky, and PiN power diode models
2002 IEEE 33rd Annual IEEE Power Electronics Specialists Conference. Proceedings (Cat. No.02CH37289) - Tập 3 - Trang 1269-1276 vol.3
A detailed parameter extraction sequence for the comprehensive silicon carbide (SiC) power diode model Is presented. The extraction sequence Is applicable to any SiC diode technology. It is demonstrated for a 1.5 kV, 10 A merged PIN Schottky (MIPS); 5 kV, 20 A PiN; 10 kV, 5 A PiN; and the new commercially available 600 V, 1 A and 4 A Schottky diodes.
#Parameter extraction #Silicon carbide #Schottky diodes #Semiconductor diodes #Circuit simulation #Temperature dependence #Voltage #Rectifiers #Leakage current #NIST
Electron redistribution of ruthenium-tungsten oxides Mott-Schottky heterojunction for enhanced hydrogen evolution
Applied Catalysis B: Environmental - Tập 308 - Trang 121229 - 2022
Hóa Chất Tẩy Nhẹ Cho Bề Mặt GaN Qua Quá Trình Ôxy Hoá Điện Hóa Gia Tăng Bằng Ánh Sáng Trong Nước Deion Dịch bởi AI
Journal of Electronic Materials - Tập 36 - Trang 629-633 - 2007
Các tính chất của bề mặt GaN được khắc bằng quá trình ôxy hóa điện hóa gia tăng bằng ánh sáng (PEC) với sự hỗ trợ của điện áp trong nước deion và việc loại bỏ vật liệu đã bị oxi hóa sau đó được nghiên cứu thông qua các đi-ốt Schottky chế tạo trên các bề mặt đã khắc. Kết quả cho thấy, với một cuộc tôi nhiệt ngắn ở 700°C sau khi loại bỏ ôxit, có thể đạt được bề mặt tổn thương thấp với đặc tính phân ...... hiện toàn bộ
#GaN #ôxy hóa điện hóa #điện áp #đi-ốt Schottky #bán dẫn #transistor lưỡng cực
Một mô hình mới về cơ chế phát xạ nhiệt điện cho các tiếp xúc Schottky không lý tưởng và phương pháp trích xuất các tham số điện Dịch bởi AI
The European Physical Journal Plus - Tập 135 - Trang 1-14 - 2020
Trong bài báo này, một mô hình mới về dòng phát xạ nhiệt điện cho các tiếp xúc Schottky không lý tưởng và một phương pháp trích xuất các tham số điện được trình bày. Cấu trúc Schottky Au/n-GaAs đã được chế tạo và mô phỏng bằng phần mềm Silvaco–Atlas trong một dải nhiệt độ rộng. Phương pháp được đề xuất cho thấy giá trị điện trở chuyển tiếp $$ R_{s} $$ gần với giá trị thu được từ phương pháp ln(I)–...... hiện toàn bộ
#phát xạ nhiệt điện #tiếp xúc Schottky không lý tưởng #điện trở chuyển tiếp #chiều cao rào cản #đặc trưng điện dung-điện áp
Thiết kế và Chế tạo Diode Schottky Rào cản Nối 4H-SiC 1.2 kV/10 A với Mật độ Dòng Cao Dịch bởi AI
Transactions on Electrical and Electronic Materials - Tập 22 - Trang 115-120 - 2021
Bài báo này trình bày quy trình tối ưu hóa tổng thể và các đặc tính điện của diode Schottky rào cản nối (JBS) 4H-SiC 1.2 kV/10 A với mật độ dòng cao. Để đạt được mật độ dòng cao, lớp epi, các tham số thiết kế cho vùng hoạt động bao gồm chiều rộng lưới p và khoảng cách giữa các ô, cùng với vòng giới hạn trường cho phần kết thúc cạnh đã được tối ưu hóa bằng cách tính toán phân tích để ước lượng các ...... hiện toàn bộ
#diode Schottky #rào cản nối #4H-SiC #mật độ dòng cao #điện áp đánh thủng #đặc tính điện
Nghiên cứu về các thuộc tính quang điện của điốt quang a-SiGe:H Dịch bởi AI
Springer Science and Business Media LLC - Tập 219 - Trang 481-485 - 1991
Chúng tôi đã nghiên cứu phổ của các loại hợp kim a-SiGe:H khác nhau cho điốt quang pin và điốt Schottky, trong đó khoảng cách năng lượng của a-SiGe:H biến thiên từ 1.75 eV đến 1.35 eV. Chúng tôi nhận thấy rằng phản ứng quang phổ của điốt rào Schottky thay đổi đáng kể tới các bước sóng dài hơn và hiệu suất lượng tử giảm khi độ dày lớp I tăng. Tuy nhiên, đối với điốt pin, việc tăng độ dày lớp I hầu ...... hiện toàn bộ
#quang điện; điốt Schottky; hợp kim a-SiGe:H; hiệu suất lượng tử; bộ cảm biến hồng ngoại
Khả năng chống ăn mòn của các lớp màng điện phân anod hình thành trên thép không gỉ 316L trong nước biển nhân tạo cô đặc Dịch bởi AI
Russian Journal of Electrochemistry - Tập 50 - Trang 281-288 - 2013
Khả năng chống ăn mòn của các lớp màng điện phân anod được hình thành trên thép không gỉ 316L đã được nghiên cứu trong nước biển nhân tạo cô đặc với tỉ lệ nồng độ (c R) dao động từ 1,5 đến 3 lần dưới điều kiện nhiệt độ hoạt động điển hình của quy trình chưng cất đa tác động (MED) bằng cách sử dụng đường cong phân cực và phân tích Mott-Schottky. Tiềm năng ăn mòn (pitting pot...... hiện toàn bộ
#316L stainless steel #anodic passive films #pitting resistance #concentrated artificial seawater #polarization curve #Mott-Schottky analysis
Dislocation-induced electron and hole levels in InAs quantum-dot Schottky diodes
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Tập 42 - Trang 2610-2613 - 2010
Tổng số: 51   
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6